Dados do pedido
Número
112017027135Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2016032540 Pedido indeferido em 20/07/2021 e o recurso não mudou a decisão. A invenção não chegou a patente e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 20/07/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Q. I. (pessoa física)
US
Inventores
S. G. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
14/740,505 · 16/06/2015
Resumo técnico
Estruturas de dispositivo semicondutor unidas e processos de fabricação de estrutura de dispositivo para evitar a necessidade de lâminas SOI em diversas aplicações de fabricação de dispositivo são revelados. Em alguns exemplos, múltiplas camadas de parada de gravaç?ões múltiplas são formadas no local durante a fabricação de uma estrutura de dispositivo ativo em uma lâmina de semicondutor de um invólucro. As camadas de parada de gravação são incorporadas em um processo de transferência de camada para possibilitar camadas de dispositivo ativo de alta qualidade e muito baixa espessura de espessura de lâminas substancialmente uniformes a serem separadas das lâminas de semicondutor do invólucro e unidas à lâminas de manuseio. Como um resultado, estes exemplos produzem alto desempenho e semicondutores ou dispositivos de baixa potência enquanto evita o alto custo de lâminas SOI.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Prejudicado o recurso(12.6) à Perda de Prioridade publicado na RPI 2496 de 06/11/2018, por perda de objeto, já que o pedido foi arquivado definitivamente nos termos do Art. 33 da LPI, sendo a notificação de tal ato efetuada na RPI 2536 de 13/08/2019.[130]
20/07/2021
RPI 2637
#11.1.1
13/08/2019
RPI 2536
#11.1
28/05/2019
RPI 2525
06/11/2018
RPI 2496
Vide e-parecer
04/09/2018
RPI 2487
#1.3
28/08/2018
RPI 2486
#1.1
03/04/2018
RPI 2465
Monitoramento de patentes
Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.