(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

DISPOSITIVO DE CIRCUITO COM UMA CAMADA INTERRUPÇÃO DE ATAQUE QUÍMICO, E MÉTODO PARA CRIAR UM CIRCUITO EMPILHADO COM UMA CAMADA DE INTERRUPÇÃO DE ATAQUE QUÍMICO

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · US2015037999

Dados do pedido

Número

112016028583

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

26/06/2015

Publicação

22/08/2017

PCT

US2015037999

Andamento no INPI

  1. Depósito26/06/15
  2. Publicação22/08/17
  3. Exame
  4. Deferimento12/07/22
  5. Concessão20/09/22
  6. Em vigor26/06/35

Patente concedida em 20/09/2022 e em vigor até 26/06/2035. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:26/06/2035

Deixe seu contato e avisamos você

Acompanhamos as publicações do INPI e avisamos assim que houver movimentação neste processo.

Usamos seus dados apenas para este aviso.

Última movimentação publicada pelo INPI: 24/06/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

I. C. (pessoa física)

US

INTEL NDTM US LLC

US

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

F. S. (pessoa física)

US

G. H. (pessoa física)

US

H. Z. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

14/329,644 · 11/07/2014

Resumo técnico

Trata-se de uma pilha de múltiplos níveis de células de memória que tem uma camada de óxido de alumínio (AlOx) como uma camada de HiK nobre para fornecer seletividade de interrupção de ataque químico. Cada nível da pilha inclui um dispositivo de célula de memória. O circuito inclui uma camada policristalina de seleção de porta de fonte (poli-SGS) adjacente à pilha de múltiplos níveis de células de memória, em que a camada poli-SGS serve para fornecer um sinal de seleção de porta para as células de memória da pilha de múltiplos níveis. O circuito também inclui uma camada de fonte condutora para fornecer um condutor de fonte para um canal para os níveis da pilha. A camada de AlOx é disposta entre a camada de fonte e a camada poli-SGS e fornece tanto seletividade de ataque químico seco quanto seletividade de ataque químico molhado para criar um canal para acoplar eletricamente as células de memória à camada de fonte.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Transferência deferida

#25.1

24/06/2025

RPI 2842

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 26/06/2015, observadas as condições legais

20/09/2022

RPI 2698

Deferimento

#9.1

12/07/2022

RPI 2688

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

15/03/2022

RPI 2671

Exigência preliminar

#6.21

28/04/2020

RPI 2573

Republicação - classificação IPC

#15.11

Procedimento automático de reclassificação. As classificações IPC anteriores eram: H01L 27/115; H01L 21/8247.

27/03/2018

RPI 2464

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.

22/08/2017

RPI 2433

Alteração de dados cadastrais

#1.1

20/12/2016

RPI 2398

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.