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Dado oficial do INPI

PROCESSO E SISTEMA PARA ACOPLAMENTO DE PIRÓLISE PRESSURIZADA DE BIOMASSAS

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · CN2014090887

Dados do pedido

Número

112016012218

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

12/11/2014

Publicação

08/08/2017

PCT

CN2014090887

Andamento no INPI

  1. Depósito12/11/14
  2. Publicação08/08/17
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 23/02/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

WUHAN KAIDI ENGINEERING TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE CO., LTD.

CN

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Inventores

C. Y. (pessoa física)

CN

Z. L. (pessoa física)

CN

Z. Y. (pessoa física)

CN

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

CN

201310628406.X · 29/11/2013

Resumo técnico

RESUMOPROCESSO E SISTEMA PARA ACOPLAMENTO DE PIRÓLISE PRESSURIZADA DE BIOMASSASTrata-se de um processo que é fornecido para a pirólise pressurizada por acoplamento de biomassas, que pirolisa as biomassas com uso de micro-ondas acopladas aos plasmas e trata os resíduos de carbono após a pirólise com o uso de plasmas. O método tem uma alta eficiência e uma alta conversão de carbono. O gás sintético tem uma boa qualidade, e o volume do gás eficaz alcança acima de 90%. Além disso, é fornecido um forno de pirolisação para o processo de pirólise mencionado acima, que inclui um forno de pirólise (2), um sistema de alimentação, um separador de ciclone (4). A parte inferior do forno de pirolisação é dotada de múltiplas admissões de micro-ondas (12) e uma interface de tocha de plasma (13), e o fundo da mesma é dotado de um agrupamento de armazenamento de escória. Tanto as admissões de micro-ondas (12) quanto a interface de tocha de plasma (13) do forno de pirolisação são distribuídas em múltiplas camadas, sendo que cada camada é colocada em uma distância uniforme. A interface de tocha de plasma (13) é colocada abaixo das admissões de micro-ondas (12) e acima do nível do líquido no agrupamento de armazenamento de escória, e a direção de jato do plasma na interface de tocha de plasma (13) é na faixa de um campo de micro-ondas nas admissões de micro-ondas. Assim, o gás sintético resultante é livre de alcatrão, e o processo de purificação subsequente é simples, sem poluição ambiental.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI

#11.2

23/02/2021

RPI 2616

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

03/11/2020

RPI 2600

Exigência preliminar

#6.21

20/08/2019

RPI 2537

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.

08/08/2017

RPI 2431

Alteração de dados cadastrais

#1.1

14/06/2016

RPI 2371

Monitoramento de patentes

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