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Dado oficial do INPI

DIVISOR DE ALTA-TENSÃO

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · EP2014067634 Documento oficial disponível

Dados do pedido

Número

112016006414

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

19/08/2014

Publicação

01/08/2017

PCT

EP2014067634

Carta-patente disponível

Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.

Acessar documento

Andamento no INPI

  1. Depósito19/08/14
  2. Publicação01/08/17
  3. Exame
  4. Deferimento10/05/22
  5. Concessão12/07/22
  6. Em vigor19/08/34

Patente concedida em 12/07/2022 e em vigor até 19/08/2034. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:19/08/2034

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Última movimentação publicada pelo INPI: 10/12/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

HSP HOCHSPANNUNGSGERÄTE GMBH

DE

S. A. (pessoa física)

DE

SIEMENS ENERGY GLOBAL GMBH & CO. KG

DE

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

L. G. (pessoa física)

IT

Dados técnicos

Prioridades unionistas

EP

13186318.5 · 27/09/2013

Resumo técnico

A presente invenção refere-se a divisor de alta-tensão para reduzir alta-tensão de entrada (VIN) em sistemas HV, que compreende parte principal (P1) com primeira (A1) e segunda (A2) montagens in-cluídas dentro do meio isolante (INS) e apresentando, para a entrada, o mesmo borne de entrada que é o borne de entrada de divisor (TIN), a primeira montagem (A1) sendo primeira pilha de capacitores compre-endendo primeiro capacitor de alta-tensão C1H) e capacitor de tensão intermediária (CM), a segunda montagem (A2) compreendendo segunda pilha de capacitores e pilha de resistores eletricamente conectadas em paralelo entre si, a segunda pilha de capacitores compreendendo segundo capacitor de alta-tensão (C2H) e capacitor de baixa tensão (C1), a pilha de resistores compreendendo resistor de alta-tensão (RH) e resistor de baixa tensão (R1), onde a segunda parte (P2) compreende unidade eletromagnética (UEM) e onde o conjunto de saídas da segunda parte (TOUT1, TOUT2¬) compreende pelo menos primeiro subconjunto de bornes de saída (TOUT1) t que deriva de primeiro borne intermediário (TINT1) processado através da unidade eletromagnética (UEM), disposta para prover primeiro subconjunto de tensão de saída (VOUT1) a ser usado para medir a amplitude da tensão de entrada (VIN) na faixa de frequência nominal, segundo borne de saída (TOUT2), que deriva de segundo borne intermediário (TINT2) t disposto para prover segunda tensão de saída (VINT2) a ser usada para medir a forma de onda da alta-tensão de entrada (VIN).

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Transferência deferida

#25.1

10/12/2024

RPI 2814

Transferência deferida

#25.1

25/04/2023

RPI 2729

Alteração de sede deferida

#25.7

28/03/2023

RPI 2725

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 19/08/2014, observadas as condições legais

12/07/2022

RPI 2688

Deferimento

#9.1

10/05/2022

RPI 2679

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

11/01/2022

RPI 2662

Exigência preliminar

#6.21

10/03/2020

RPI 2566

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.

01/08/2017

RPI 2430

Alteração de dados cadastrais

#1.1

05/04/2016

RPI 2361

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