Dados do pedido
Número
112015021734Tipo
Depósito
Publicação
PCT
JP2014055651 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoPatente concedida em 27/04/2021 e depois extinta em 19/05/2026. A proteção terminou antes do prazo e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 19/05/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
JP
Inventores
M. M. (pessoa física)
JP
T. A. (pessoa física)
JP
T. S. (pessoa física)
JP
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2013-049003 · 12/03/2013
Resumo técnico
RESUMOPatente de Invenção: "MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE ELEMENTO EMISSOR DE LUZ SEMICONDUTOR". A presente invenção refere-se a um elemento emissor de luz semicondutor altamente confiável que tem protuberâncias que estão dispostas de modo regular e tamanho uniforme e um método para fabricação do dito elemento. Esse método para fabricação de um elemento emissor de luz semicondutor inclui: uma etapa para formar uma camada de máscara que tem uma pluralidade de aberturas dispostas em intervalos regulares ao longo de um eixo geométrico de cristal de uma camada de estrutura semicondutora na superfície da camada de estrutura semicondutora; uma etapa para realizar um tratamento de plasma na superfície da camada de estrutura semicondutora que é exposta pelas aberturas da camada de máscara; uma etapa para remover a camada de máscara; e uma etapa para formar protuberâncias na superfície da camada de estrutura semicondutora através da caustificação úmida da superfície da camada de estrutura semicondutora.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#24.10
Em virtude da extinção publicada na RPI 2869 de 30-12-2025 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantida a extinção da patente e seus certificados, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
19/05/2026
RPI 2889
#21.6
Referente à 12ª anuidade.
30/12/2025
RPI 2869
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 05/03/2014, observadas as condições legais
27/04/2021
RPI 2625
#9.1
16/03/2021
RPI 2619
#6.21
24/03/2020
RPI 2568
#6.6.1
13/11/2018
RPI 2497
#1.3
Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.
18/07/2017
RPI 2428
#1.1
15/12/2015
RPI 2345
Monitoramento de patentes
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