Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
03/04/2018
RPI 2465
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Dado oficial do INPI
DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA COM CÉLULAS DE MEMÓRIA DE ACESSO ALEATÓRIO MAGNÉTICA (MRAM) E ESTRUTURAS ASSOCIADAS PARA CONECTAR AS CÉLULAS DE MRAM
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2013065639
Dados do pedido
Número
112015009067Tipo
Patente de Invenção
Depósito
18/10/2013
Publicação
04/07/2017
PCT
US2013065639 Andamento no INPI
- Depósito18/10/13
- Publicação04/07/17
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 18/10/2013, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 03/04/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
CROCUS TECHNOLOGY INC.
US
Inventores
A. L. (pessoa física)
US
M. B. (pessoa física)
US
N. B. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
13/657.708 · 22/10/2012
Resumo técnico
RESUMO"DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA COM CÉLULAS DE MEMÓRIA DE ACESSO ALEATÓRIO MAGNÉTICA (MRAM) E ESTRUTURAS ASSOCIADAS PARA CONECTAR AS CÉLULAS DE MRAM"Trata-se de um dispositivo de memória inclui uma camada magnética que inclui uma pluralidade de células de memória de acesso aleatório magnética (MRAM), uma primeira camada condutora, uma camada que inclui uma tira que conecta células de MRAM incluídas na pluralidade de células de MRAM, e uma segunda camada condutora. A primeira camada condutora inclui uma porção condutora eletricamente conectada a pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM, e uma linha de campo configurada para gravar dados na pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM. A segunda camada condutora inclui uma interconexão condutora eletricamente conectada a pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM, em que a camada magnética é disposta entre a primeira camada condutora e a segunda camada condutora. Pelo menos uma dentre a pluralidade de células de MRAM é diretamente fixada à segunda camada condutora e à tira.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
23/01/2018
RPI 2455
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.
04/07/2017
RPI 2426
Alteração de dados cadastrais
#1.1
05/05/2015
RPI 2313
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