DISPOSITIVO OPTOELETRÔNICO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

RESUMODISPOSITIVO OPTOELETRÔNICOA invenção fornece um dispositivo optoeletrônico compreendendo uma região foto ativa, cuja região fotoativa compreende: uma região do tipo n compreendendo pelo menos uma camada do tipo n; uma região do tipo p compreendendo pelo menos uma camada do tipo p; e, disposta entre a região do tipo n e a região do tipo p: uma camada de um semicondutor de perovskita sem porosidade aberta. O semicondutor de perovskita é geralmente de absorção de luz. Em algumas modalidades, disposto entre a região do tipo n e a região do tipo p é (i) uma primeira camada que compreende um material de sustentação, que é tipicamente poroso, e um semicondutor de perovskita, que é tipicamente disposto nos poros do material de sustentação; e (ii) uma camada de tamponamento disposta na primeira camada, cuja camada de tamponamento é a referida camada de um semicondutor de perovskita sem porosidade aberta, em que o semicondutor de perovskita na camada de tamponamento está em contato com o semicondutor de perovskita na primeira camada. A camada do semicondutor de perovskita sem porosidade aberta (o qual pode ser a referida camada tamponamento) tipicamente forma uma heterojunção plana com a região do tipo n ou a região do tipo p. A invenção também fornece os processos para a produção de tais dispositivos optoeletrônico que tipicamente envolvem a deposição da solução ou deposição de vapor da perovskita. Em uma modalidade, o processo é um processo em baixa temperatura; por exemplo, todo o processo pode ser realizado em uma temperatura ou temperaturas não excedendo 150 °C.