Dados do pedido
Número
112015002000Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2013051583 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 05/12/2017. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
G. U. (pessoa física)
US
Inventores
M. F. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
13/572,285 · 10/08/2012
Resumo técnico
RESUMOFABRICAÇÃO DE CVD DE NANOTUBOS DE CARBONO DE ÚNICA PAREDETrata-se de um sistema e processo aqui descritos para fornecer uma mistura predeterminada de gás de argônio e hidrogênio de volume variável para um proces-so com base em deposição química de vapor (CVD), que permite o crescimento de estruturas de nanotubos de carbono de parede única (SWCNT). As estruturas de SWCNT de exemplo desse sistema e método são fabricadas com um grau de con-trole sobre as emissões de campo produzidas pelo SWCNT e a faixa de diâmetros de cada um dos SWCNTs. De maneira específica, os intervalos de diâmetro prede-terminados e as emissões do campo da estrutura de SWCNT correspondem a uma faixa predeterminada das concentrações da mistura de argônio e hidrogênio e a concentração de argônio, respectivamente. Os defeitos e o diâmetro dos SWCNTs normalmente contribuem para as emissões de campo provenientes das estruturas de SWCNT em baixas tensões aplicadas.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2432 de 15-08-2017 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
05/12/2017
RPI 2448
#8.6
Referente às 3ª e 4ª anuidades.
15/08/2017
RPI 2432
#1.3
08/08/2017
RPI 2431
#1.1
31/03/2015
RPI 2308
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