(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

CONVERSOR FOTOELÉTRICO, MATRIZ DE CONVERSOR FOTOELÉTRICO E DISPOSITIVO DE IMAGEM

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · JP2012076557

Dados do pedido

Número

112014008399

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

05/10/2012

Publicação

19/09/2017

PCT

JP2012076557

Andamento no INPI

  1. Depósito05/10/12
  2. Publicação19/09/17
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

Falar com um especialista

Última movimentação publicada pelo INPI: 19/11/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

JP

RICOH COMPANY, LTD.

JP

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

H. W. (pessoa física)

JP

K. K. (pessoa física)

JP

T. N. (pessoa física)

JP

T. O. (pessoa física)

JP

Y. N. (pessoa física)

JP

Y. H. (pessoa física)

JP

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

JP

2011-222020 · 06/10/2011

Resumo técnico

CONVERSOR FOTOELÃTRICO, MATRIZ DE CONVERSOR FOTOELÃTRICO E DISPOSITIVO DE IMAGEM. Um conversor fotoelétrico inclui uma primeira junção pn compreendida de pelo menos duas regiões semicondutoras de diferentes tipos de condutividade, e um primeiro transistor de efeito de campo incluindo uma primeira fonte conectada com uma das regiões semicondutoras, um primeiro dreno, uma primeira porta isolada e um mesmo canal de tipo de condutividade do que aquele dentre as regiões semicondutoras. O primeiro dreno é alimentado com um segundo potencial no qual a primeira junção pn se torna polarizada em zero ou polarizada inversa em relação a um potencial da outra das regiões semicondutoras. Quando a primeira fonte se torna um primeiro potencial e uma das regiões semicondutoras se torna polarizada em zero ou polarizada inversa em relação à s outras regiões semicondutoras, a primeira junção pn é controlada para não estar polarizada com uma tensão direta profunda ao fornecer um potencial de primeira porta à primeira porta isolada, mesmo quando uma das regiões semicondutoras é exposta à luz.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2534 de 30-07-2019 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

19/11/2019

RPI 2550

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 7ª anuidade.

30/07/2019

RPI 2534

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

19/09/2017

RPI 2437

Exigências diversas

#1.5

Apresente o complemento do texto em português, adaptado à norma vigente, do pedido conforme depósito internacional inicial (relatório descritivo, resumo e, se houver, listagem de sequência biológicas e desenhos), conforme determina o Ato Normativo 128/97 no Item 9.2.1

13/06/2017

RPI 2423

Alteração de dados cadastrais

#1.1

27/05/2014

RPI 2264

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.