DISPOSITIVO SEMICONDUTOR

Classificação IPC

Resumo técnico

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR.A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor que inclui uma camada de derivação do tipo primeira condutividade, uma camada de corpo do tipo segunda condutividade, uma camada de fonte do tipo primeira condutividade, uma camada de drenagem do tipo primeira condutividade, uma porta de sulco que penetra na camada de corpo e que entra em contato com a camada de derivação, uma primeira camada de semicondutor do tipo segunda condutividade que circunda um fundo da porta de sulco e que é separada da camada de corpo pela camada de derivação, uma segunda camada de semicondutor do tipo primeira condutividade disposta ao longo de uma das partes de extremidade da porta de sulco em uma direção longitudinal da porta de sulco, uma das partes de extremidade da segunda camada de semicondutor que entra em contato com a camada de corpo e a outra dentre as partes de extremidade da segunda camada de semicondutor que entra em contato com a primeira camada de semicondutor, e uma camada de conexão, sendo que uma das partes de extremidade da camada de conexão é conectada à camada de corpo e a outra, dentre as partes de extremidade da camada de conexão, é conectada à primeira camada de semicondutor, a camada de conexão que entra em contato com a segunda camada de semicondutor, e sendo que a camada de conexão é separada de uma das partes de extremidade da porta de sulco na direção longitudinal da porta de sulco pela segunda camada de semicondutor.