ELEMENTO FOTOVOLTAICO INCLUINDO UM RESSONADOR DISPOSTO EM UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

ELEMENTO FOTOVOLTAICO COM UM RESSONADOR INCLUÍDO A presente invenção se refere a um elemento fotovoltaico incluindo um ressonador que é disposto em uma estrutura semiocondutora (5) que é constituída por uma região sem amortecimento eletromagnético (5a), cujo plano superior forma o plano de incidência (3) e uma região com amortecimento eletromagnético (5b), ambas as regiões sendo ligadas pelos limites virtuais (6) da variação nas propriedades do material. Pelo menos um ressonador 2D-3D (4) é circundado por um dielétrico (10) e configurado na estrutura semicondutora (5), com um eletrodo relativo (11), limitando a região com amortecimento eletromagnético (5b). O elemento fotovoltaico tendo um ressonador disposto em uma estrutura semicondutora (5) utiliza a estrutura (5) e suas características para definir condições adequadas para a colisão de uma onda eletromagnética e sua transformação para uma forma estacionária do campo eletromagnético e não para garantir a geração de uma carga elétrica. O ressonador 2D-3D produz corrente elétrica ou tensão, que é conduzida com a ajuda de um componente não linear (15) a um componente de conexão (16). O elemento não linear (15) molda o sinal no circuito ressonante; este sinal é então filtrado (retificado) para um formato ainda mais utilizável. O ressonador planar e espacial (ressonador 2D-3D) é projetado de tal forma que impeça que a onda eletromagnética passe pela estrutura semicondutora (5) sendo refletida de volta para o ressonador 2D-3D criado na estrutura (5). A estrutura semicondutora (5) não gera uma onda eletromagnética no sentido contrário, na direção da colisão da onda eletromagnética emitida por uma fonte, tal como o sol. A região com eletromagnético (5b) tem a função de suprimir a onda refletida. Desse modo, o ressonador comporta-se como um componente correspondente de impedância ideal para o espectro de frequência proposto. A estrutura semicondutora (5) é definida de tal forma que a condutividade na região de amortecimento eletromagnético (5b) na direção do eletrodo relativo (11), que a uma curva de ressonância ampla nos componentes de elemento fotovoltaico.