DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FABRICAR O MESMO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÃTODO PARA FABRICAR O MESMO. A presente invenção se refere a um dispositivo semicondutor (1001) que inclui um transistor de película fina (103) que inclui um eletrodo de porta (3a), eletrodos de fonte e dreno (13as, 13ad), e uma camada semicondutora de óxido (7), e uma linha de barramento de fonte (13s). O eletrodo de fonte, a linha de barramento de fonte e o eletrodo de dreno incluem um primeiro elemento metálico e a camada semicondutora de óxido inclui um segundo elemento metálico. Quando observadas ao longo de uma normal até seu substrato, pelo menos as respectivas porções do eletrodo de fonte, da linha de barramento de fonte e do eletrodo de dreno sobrepõem a camada semicondutora de óxido. Uma camada de baixa refletância mais baixa á radiação visível que o eletrodo de fonte foi formada entre o eletrodo de fonte e a camada semicondutora de óxido, entre a linha de barramento de fonte e a camada semicondutora de óxido, entre a linha de barramento de fonte e a camada semicondutora de óxido, e entre a linha de dreno e a camada semicondutora de óxido.