Dados do pedido
Número
112013014581Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2011062805 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 21/01/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
D. C. (pessoa física)
US
Inventores
A. D. (pessoa física)
US
C. H. (pessoa física)
US
D. K. (pessoa física)
US
J. W. (pessoa física)
US
M. M. (pessoa física)
US
R. L. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
61/424,120 · 17/12/2010
Resumo técnico
MÃTODO PARA A FABRICAÃÃO DE UM DIORGANO-DI-HALOSSILANOA presente invenção refere-se a um método para a fabricação de um diorgano-di-halossilano que contata um organo-tri-halossilano de acordo com a fórmula RSiX3 (I) com hidrogênio na presença de um catalisador metálico compreendendo pelo menos dois metais e em uma temperatura de 300 a 800°C para formar um diorgano-di-halossilano, no qual R é C1-C10 hidrocarbila, X é halo, e dois dos pelo menos dois metais são escolhidos dentre pelo menos um de (i) cobre e paládio, (ii) cobre e ouro, (iii) de Ãndio e irÃdio ou (iv) de irÃdio e rênio.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2543 de 01-10-2019 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
21/01/2020
RPI 2559
#8.6
01/10/2019
RPI 2543
#1.3
Publicação automática código 1.3 conforme Comunicado RPI 2542, de 24/9/2019.
24/09/2019
RPI 2542
#1.1
26/07/2016
RPI 2377
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