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Dado oficial do INPI

FONTE DILUÍDA DE MATRIZ ATIVA HABILITADA PARA UM TRANSISTOR EMITINDO LUZ ORGÂNICA VERTICAL INCLUINDO PAINEL DE EXIBIÇÃO E FONTE DILUÍDA DUPLA E INVERTIDA HABILITADA PARA UM TRANSISTOR DE EFEITO DE EFEITO DE CAMPO VERTICAL (DS-VFET) DUPLO INVERTIDO

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · US2011063745

Dados do pedido

Número

112013013873

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

07/12/2011

Publicação

13/09/2016

PCT

US2011063745

Andamento no INPI

  1. Depósito07/12/11
  2. Publicação13/09/16
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 17/01/2017. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.

US

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Inventores

A. R. (pessoa física)

US

B. L. (pessoa física)

US

M. M. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

61/420,512 · 07/12/2010

Resumo técnico

FONTE DILUÍDA DE MATRIZ ATIVA HABILITADA PARA UM TRANSISTOR EMITINDO LUZ ORGÂNICA VERTICAL INCLUINDO PAINEL DE EXIBIÇÃO E FONTE DILUÍDA DUPLA E INVERTIDA HABILITADA PARA UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO VERTICAL (DS-VFET) DUPLO INVERTIDO Várias configurações são providas para a fonte diluída habilitada para transistores emitindo luz orgânica vertical. Em várias configurações, um painel de exibição inclui uma matriz de pixels. Em uma configuração, entre outras, ao menos um pixel inclui um transistor de comutação e uma fonte diluída habilitada para transistor emitindo luz orgânica vertical (DS-VOLET) acoplados ao transistor de comutação. Em outra configuração, ao menos um pixel inclui um transistor de comutação e um transistor de direcionamento acoplados a um transistor de comutação, onde o transistor de direcionamento é configurado para emitir luz responsiva para a ativação pelo transistor de comutação. Em outra configuração, uma dupla fonte diluída habilitada para transistor de efeito de campo vertical (DS-VFET) inclui um primeiro DS-VFET acoplado a um segundo DS-VFET.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2386 de 27-09-2016 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

17/01/2017

RPI 2402

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 4ª anuidade.

27/09/2016

RPI 2386

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

13/09/2016

RPI 2384

Alteração de dados cadastrais

#1.1

07/01/2014

RPI 2244

Monitoramento de patentes

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