Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
04/04/2017
RPI 2413
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Dado oficial do INPI
"FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO COM ALTA DETECTIVIDADE EM DISPOSITIVO DE BAIXA VOLTAGEM."
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2011056180
Dados do pedido
Número
112013012728Tipo
Patente de Invenção
Depósito
13/10/2011
Publicação
13/09/2016
PCT
US2011056180 Andamento no INPI
- Depósito13/10/11
- Publicação13/09/16
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 13/10/2011, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 04/04/2017. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Nanoholdings, LLC
US
University Of Florida Research Foundation, Inc.
US
Inventores
B. P. (pessoa física)
US
D. K. (pessoa física)
US
F. S. (pessoa física)
US
G. S. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
61/416,630 · 23/11/2010
Resumo técnico
FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO COM ALTA DETECTIVIDADE EM DISPOSITIVO DE BAIXA VOLTAGEM. A presente invenção refere-se a um fotodetector de IV com alta detectividade compreende uma camada sensível a Iv situada entre uma camada de bloqueio de elétrons (EBL) e uma camada de bloqueio de furo (H-BL). A EBL e HBL reduzem significativamente a corrente escura, resultando em uma elevada detectividade enquanto permite o uso de uma baixa voltagem aplicada ao fotodetector de IV.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
25/10/2016
RPI 2390
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
13/09/2016
RPI 2384
Alteração de dados cadastrais
#1.1
07/01/2014
RPI 2244
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