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Dado oficial do INPI

REVESTIMENTO MESO-ESTRUTURADO, SEU PROCESSO DE FABRICAÇÃO E USO

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · FR2011051205

Dados do pedido

Número

112012031291

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

26/05/2011

Publicação

01/11/2016

PCT

FR2011051205

Andamento no INPI

  1. Depósito26/05/11
  2. Publicação01/11/16
  3. Exame
  4. Deferimento29/10/19
  5. Concessão24/12/19
  6. Em vigor26/05/31

Patente concedida em 24/12/2019 e em vigor até 26/05/2031. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:26/05/2031

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Última movimentação publicada pelo INPI: 24/12/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S.)

FR

E. I. (pessoa física)

FR

ESSILOR INTERNATIONAL (COMPAGNIE GÉNÉRALE D'OPTIQUE)

FR

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

C. B. (pessoa física)

FR

J. B. (pessoa física)

FR

J. C. (pessoa física)

FR

S. D. (pessoa física)

FR

S. P. (pessoa física)

FR

T. G. (pessoa física)

FR

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

FR

10 54532 · 09/06/2010

Resumo técnico

PROCESSO DE PREPARO À BAIXA TEMPERATURA DE REVESTIMENTOS MESO-ESTRUTURADOS ELETROCONDUTORES. A presente invenção refere-se a um processo de fabricação de revestimentos meso-estruturados, comportando estruturas eletrocondutoras formadas de nanopartículas metálicas, compreendendo as etapas que consistem: a) depositar, sobre um substrato, uma primeira camada de um material, meso-estruturado por um agente estruturante, à base de sílica e de um material fotocatalítico; b) em depositar, sobre a primeira camada, uma segunda camada de um material meso-estruturado à base de sílica, essa segunda camada estando isenta de material fotocatalítico; c) em consolidar a primeira e a segunda camdas, a uma temperatura compreendida entre 50 e 250º C, d) em colocar em contato o revestimento consolidado com uma solução contendo íons metálicos, e em irradiá-lo com uma irradiação, permitindo a ativação do material fotocatalitico, esse processo sendo caracterizado pelo fato de não compreender nenhum tratamento térmico a uma temperatura superior a 250ºC.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 26/05/2011, observadas as condições legais

24/12/2019

RPI 2555

Deferimento

#9.1

29/10/2019

RPI 2547

6.20

06/03/2019

RPI 2513

Transferência deferida

#25.1

14/08/2018

RPI 2484

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

10/04/2018

RPI 2466

Retificação da notificação da fase nacional - PCT

#1.3.1

Retificação do item 54 - título da publicação código 1.3 da RPI 2391 de 1/11/16 conforme solicitação em petição 870180020204 de 13/3/18.

03/04/2018

RPI 2465

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

01/11/2016

RPI 2391

Alteração de dados cadastrais

#1.1

24/04/2013

RPI 2207

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