Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
11/04/2017
RPI 2414
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Dado oficial do INPI
DISPOSITIVO FOTOELÉTRICO, NANOPARTÍCULA, E, MÉTODO PARA FORMAR NANOPARTÍCULAS SEMICONDUTORAS
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2011030074
Dados do pedido
Número
112012025386Tipo
Patente de Invenção
Depósito
25/03/2011
Publicação
28/06/2016
PCT
US2011030074 Andamento no INPI
- Depósito25/03/11
- Publicação28/06/16
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 25/03/2011, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 11/04/2017. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
The Governing Council Of The University Of Toronto
CA
Inventores
A. B. (pessoa física)
US
A. P. (pessoa física)
CA
E. S. (pessoa física)
CA
I. K. (pessoa física)
CA
J. T. (pessoa física)
CA
K. G. (pessoa física)
ES
R. D. (pessoa física)
CA
X. W. (pessoa física)
CA
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
12/890797 · 27/09/2010
US
61/321450 · 06/04/2010
US
61/334650 · 14/05/2010
Resumo técnico
DISPOSITIVO FOTOELÉTRICO, NANOPARTÍCULA, E, MÉTODO PARA FORMAR NANOPARTÍCULAS SEMICONDUTORAS. São descritas células fotovoltaicas que são fabricadas nas quais as composições da camad absorvente de luz e a camada aceitadora de elétrons são selecionada de maneira tal que pelo menos um lado da junção dessas substancialmente esgotada de carreadores de carga, isto é, ambas sem elétrons e sem furos, na ausência de iluminação solar. Em aspectos adicionais da invenção, a camada absorvente de luz é compreendida de pontos quânticos passivados ocm invólucro duplo, cada qual com um núcleo do ponto quântico com ânions superficiais, um invólucro interno contendo cátions para passivar os ânion ssuperficiais do núcleo, e um invólucro externo para passivar os ânions do invólucro interno e ânions da superfície do núcleo.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
12/07/2016
RPI 2375
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
28/06/2016
RPI 2373
Alteração de dados cadastrais
#1.1
25/06/2013
RPI 2216
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