MÉTODO DE PREENCHIMENTO DE ESPAÇO INTEGRADO PARA VIA ATRAVÉS DE SILÍCIO E CONJUNTO MICROELETRÔNICO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

MÉTODO DE PREENCHIMENTO DE ESPAÇO INTEGRADO PARA VIA ATRAVÉS DE SILÍCIO E CONJUNTO MICROELETRÔNICO RESULTANTEUm conjunto microeletrônico e método de formação de um buracode passagem se estende através de um primeiro e segundo wafers (boiachas) que são fornecidos. O primeiro e segundo wafers têm faces que são confrontantes e características metálicas nas faces que são unidas conjuntamente para a montagem dos wafers. Um buraco pode ser gravado através do primeiro wafer até que uma lacuna seja exposta entre as faces confrontantes. O buraco pode ter uma primeira parede e uma segunda inclinada para dentro a partir da primeira parede para uma abertura através da qual a lacuna é exposta. O material do primeiro e segundo wafer expostos dentro do buraco pode então ser pulverizado (pulverização catódica) criando uma parede entre as faces confrontantes. O buraco pode ser gravado de forma a estender a primeira parede através do primeiro wafer, de tal modo que a parede do buraco se estenda continuamente a partir do primeiro wafer para o segundo wafer. Uma via através de silício eletricamente condutora pode então ser formada.