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Dado oficial do INPI

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, MÓDULO DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS, PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE UM MÓDULO DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · IB2010055725

Dados do pedido

Número

112012014143

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

10/12/2010

Publicação

16/08/2016

PCT

IB2010055725

Andamento no INPI

  1. Depósito10/12/10
  2. Publicação16/08/16
  3. Exame
  4. Deferimento10/03/20
  5. Arquivado
  6. Em vigor

Pedido deferido em 10/03/2020, mas arquivado por falta do pagamento da concessão (art. 38 da LPI). A carta-patente nunca foi emitida.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 08/06/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)

FR

É. P. (pessoa física)

FR

T. S. (pessoa física)

FR

T. M. (pessoa física)

FR

T. A. (pessoa física)

FR

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Inventores

M. L. (pessoa física)

FR

P. C. (pessoa física)

FR

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

FR

09/58922 · 14/12/2009

Resumo técnico

CÉLULA FOTOVOLTAICA HETEROJUNÇÃO COM CONTATO POSTERIOR. A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor, compreendendo: um substrato semicondutor cristalino (1), apresentando uma face dianteira (1a) e uma face traseira (1b); uma camada de passivação dianteira (3) disposta sobre a face dianteira (1a) do substrato (1); uma camada de passivação traseira (2) disposta sobre a face traseira (1b) do substrato (1); uma primeira zona de metalização (10) disposta sobre a camada de passivação traseira (2) e adaptada à coleta dos elétrons; uma segunda zona de metalização adaptada à coleta dos orifícios, compreendendo: uma parte de superfície (11), disposta sobre a camada de passivação traseira (2); e um aparte interna (12) que atravessa a camada de passivação traseira (2) e que forma no substrato (1) uma região na qual a concentração em aceitadores de elétrons é superior ao resto do substrato (1). A presente invenção refere-se também a um módulo de célula fotovotaicas utilizando esse dispositivo, assim como um processo de fabricação desse dispositivo.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Adição na publicação

#15.35

08/06/2021

RPI 2631

Arquivamento - Art. 38 §2° da LPI

#11.4

08/09/2020

RPI 2592

Deferimento

#9.1

10/03/2020

RPI 2566

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

07/01/2020

RPI 2557

Exigência preliminar

#6.21

06/08/2019

RPI 2535

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

08/01/2019

RPI 2505

Alteração de nome deferida

#25.4

26/12/2017

RPI 2451

Transferência deferida

#25.1

05/12/2017

RPI 2448

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

16/08/2016

RPI 2380

Alteração de dados cadastrais

#1.1

13/11/2012

RPI 2184

Monitoramento de patentes

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