Adição na publicação
#15.35
01/06/2021
RPI 2630
Dados do pedido
Número
112012014068Tipo
Depósito
Publicação
PCT
FR2010000824 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 01/06/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Commissariat A L´Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
FR
Inventores
N. E. (pessoa física)
FR
S. D. (pessoa física)
FR
Prioridades unionistas
FR
09 05971 · 10/12/2009
Resumo técnico
PROCESSO DE TRATAMENTO DE SUBSTRATO DE SILÍCIO PARA A FABRICAÇÃO DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS, E PROCESSOS DE FABRICAÇÃO DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS. A presente invenção refere-se a um processo para o tratamento de um substrato de silício para a fabricação de células fotovoltaicas contra a redução em rendimento durante a iluminação das referidas células fotovoltaicas. A invenção também se refere a um processo para a fabricação de células fotovoltaicas a partir do substrato tratado. Para tal objetivo, a invenção refere-se a um processo de tratamento de um substrato de silício para a fabricação de células fotovoltaicas, tal processo incluindo as seguintes etapas: a) fornecimento um substrato de silício obtido a partir de uma carga purificada metalurgicamente; e b) recozimento do referido substrato por aquecimento do substrato a uma temperatura entre 880 e 930 C, durante uma duração de entre uma quatro horas, de preferência a uma temperatura de 900 C, a +-10 C de intervalo, dentro de duas horas, em +-10 minutos de intervalo.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#15.35
01/06/2021
RPI 2630
#8.11
Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2439 de 03-10-2017 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
23/01/2018
RPI 2455
#8.6
Referente à 7ª anuidade.
03/10/2017
RPI 2439
#1.3
05/07/2016
RPI 2374
#1.1
13/11/2012
RPI 2184
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