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Dado oficial do INPI

SENSOR DE IMAGEM OTIMIZADOR DE COR

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · IB2010054779

Dados do pedido

Número

112012009392

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

21/10/2010

Publicação

14/06/2016

PCT

IB2010054779

Andamento no INPI

  1. Depósito21/10/10
  2. Publicação14/06/16
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 12/12/2017. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

H. T. (pessoa física)

SG

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Inventores

H. T. (pessoa física)

SG

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

12/906.351 · 18/10/2010

US

61/253.849 · 21/10/2009

US

61/254.745 · 25/10/2009

Resumo técnico

SENSOR DE IMAGEM OTIMIZADOR DE COR. Uma matriz de pixel de sensor de imagem, que inclui uma unidade de conversão fotoeléctrica suportada por um substrato de um primeiro tipo de condutividade. A unidade de conversão fotoeléctrica pode ser um fotodíodo que compreende uma segunda da região de um segundo tipo de condutividade disposta no substrato e verticalmente abaixo de um eléctrodo de porta de um transistor. Uma primeira região da primeira condutividade e sob uma superfície do topo do substrato está disposta acima da segunda região. A primeira região suporta um canal do transistor. Um filtro de cor transmite uma luz que penetra através do eléctrodo de porta e da primeira região para gerar transportadoras para ser recolhido por a segunda região. O filtro de cor pode ser um filtro de cor vermelho ou um filtro de cor verde ou um filtro de cor amarelo. A luz pode ser transmitida para o eléctrodo de porta através um guia de luz. O guia de luz pode ser na parte superior do eléctrodo de porta. O eléctrodo de porta pode ser parte de um portão de transferência, um interruptor de reposição, um interruptor de selecção ou um transistor de sáida. O eléctrodo de porta pode ser mais fino do que um porta de um transistor num circuito periferia exterior da matriz de pixel. O eléctrodo de porta pode ser feito mais fino por meio de um gravado molhado. Um agente de gravado para fazer e oléctrodo de porta mais fino pode ser introduzido através de uma abertura em uma película isolante sobre o substrato. O guia de luz pode ser formada na abertura após o gravado. Uma pilha de anti-reflexão pode ser formada a uma parte inferior da abertura antes da formação do guia de luz.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2433 de 22-08-2017 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

12/12/2017

RPI 2449

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 7ª anuidade.

22/08/2017

RPI 2433

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

14/06/2016

RPI 2371

Alteração de dados cadastrais

#1.1

05/12/2012

RPI 2187

Monitoramento de patentes

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