DEPOSIÇÃO DE ÁREA GRANDE DE GRAFENO POR MEIO DE CRESCIMENTO HETEROEPITAXIAL, E PRODUTOS INCLUINDO O MESMO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

DEPOSIÃÃO DE ÃREA GRANDE DE GRAFENO POR MEIO DE CRESCIMENTO HETEROEPITAXIAL, E PRODUTOS INCLUINDO O MESMO.Certas modalidades exemplares desta invenção dizem respeito ao uso de grafeno como um revestimento condutivo transparente (TCC). Emcertas modalidades exemplares, filmes finos de grafeno crescidos em áreas grandes heteroepitaxialmente, por exemplo, em um filme fino de catalisador, de um gás de hidrocarboneto (tal como, por exemplo, C2H2, CH4, ou outros). Os filmes finos de grafeno de certas modalidades exemplares podem ser dopados ou não dopados. Em certas modalidades exemplares, os filmes finos de grafeno, uma vez formados, podem ser levantados de seus substratos de veículo e transferidos para os substratos receptores, por exemplo, para inclusão em um produto intermediário ou final. Grafeno crescido, levantado e transferido desse modo pode exibir resistências baixas da folha (por exemplo, menos de 150 ohms/quadrado e mais baixa quando dopada) e valores de transmissão altos (por exemplo, pelo menos nos espectros visíveis infravermelhos).