Dados do pedido
Número
112012007699Tipo
Depósito
Publicação
PCT
JP2010005978 Patente concedida em 04/02/2020 e depois extinta em 21/11/2023. A proteção terminou antes do prazo e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 21/11/2023. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
C. K. (pessoa física)
JP
Inventores
M. K. (pessoa física)
JP
Y. Y. (pessoa física)
JP
Y. O. (pessoa física)
JP
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2009-235087 · 09/10/2009
Resumo técnico
DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO. São descritas uma porção de conversão fotoelétrica, uma porção de retenção de carga, uma porção de transferência e um nó de detecção que são formados em um poço tipo P. A porção de retenção de carga é configurada para incluir uma região semicondutora tipo N, que é uma primeira região semicondutora que retém cargas em uma porção diferente da porção de conversão fotoelétrica. Uma região semicondutora tipo P com uma maior concentração do que o poço tipo P é disposta dob a região semicondutora tipo N.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#24.10
Em virtude da extinção publicada na RPI 2743 de 01-08-2023 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantida a extinção da patente e seus certificados, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
21/11/2023
RPI 2759
#21.6
Referente à 13ª anuidade.
01/08/2023
RPI 2743
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 06/10/2010, observadas as condições legais
04/02/2020
RPI 2561
#9.1
10/12/2019
RPI 2553
16/07/2019
RPI 2532
#6.6.1
08/01/2019
RPI 2505
#1.3
23/08/2016
RPI 2381
#1.1
05/12/2012
RPI 2187
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