"PROCESSO DE TEXTURIZAÇÃO DA SUPERFÍCIE DE UM SUBSTRATO DE SILÍCIO EM FASE GASOSA E SUBSTRATO DE SILÍCIO TEXTURIZADO PARA CÉLULA SOLAR."

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

PROCESSO DE TEXTURIZAÃÃO DA SUPERFÃCIE DE UM SUBSTRATO DE SILÃCIO EM FASE GASOSA E SUBSTRATO DE SILÃCIO TEXTURIZADO PARA CÃLULA SOLARA invenção refere-se a um processo de texturização da superfície de um substrato de silício em fase gasosa e um substrato de silício texturizado para célula solar. O processo compreende pelo menos uma etapa a) de exposição da referida superfície a um plasma radiofrequência de SF 6/O2 durante uma duração compreendida entre 2 min e 30 min, para produzir um substrato de silício tendo uma superfície texturizada apresentando estruturas piramidais, a relação SF6/O2 estando compreendida entre 2 e 10. De acordo com a invenção, quando da etapa a), a densidade de potência gerada com o plasma radiofrequência é superior ou igual a 2500 m W/cm2 e a pressão de SF6/O2 na câmara de reação é inferior ou igual a 100 m Torr, de modo a produzir um substrato de silício tendo uma superfície texturizada apresentando estruturas piramidais de tipo invertido.