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Dado oficial do INPI

CÉLULA SOLAR, MÉTODO DE PREPARAÇÃO DA MESMA, E MÓDULO FOTOVOLTAICO

PublicadaPatente de Invenção

Dados do pedido

Patente de Invenção CÉLULA SOLAR, MÉTODO DE PREPARAÇÃO DA MESMA, E MÓDULO FOTOVOLTAICO de TRINA SOLAR CO., LTD. — IPC H10F 10/165
Patente de Invenção CÉLULA SOLAR, MÉTODO DE PREPARAÇÃO DA MESMA, E MÓDULO FOTOVOLTAICO de TRINA SOLAR CO., LTD. — IPC H10F 10/165. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

102024023075

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

05/11/2024

Publicação

20/05/2025

Andamento no INPI

Exame ainda não requerido
  1. Depósito05/11/24
  2. Publicação20/05/25
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

O exame técnico ainda não foi requerido. Sem esse requerimento até 05/11/2027, o pedido é arquivado em definitivo (art. 33 da LPI).

Prazo para requerer o exame:05/11/2027(faltam 396 dias)

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Última movimentação publicada pelo INPI: 20/05/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

TRINA SOLAR CO., LTD.

CN

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Inventores

B. Z. (pessoa física)

CN

C. L. (pessoa física)

CN

D. L. (pessoa física)

CN

J. H. (pessoa física)

CN

Z. L. (pessoa física)

CN

Dados técnicos

Prioridades unionistas

CN

202410956630.X · 17/07/2024

Resumo técnico

CÉLULA SOLAR, MÉTODO DE PREPARAÇÃO DA MESMA, E MÓDULO FOTOVOLTAICO. A presente invenção refere-se a uma célula solar, um método de preparação da mesma e um módulo fotovoltaico. A célula solar inclui um substrato semicondutor, estruturas de contato passivantes, uma camada dielétrica e primeiros eletrodos. O substrato semicondutor inclui uma primeira superfície e uma segunda superfície opostas entre si. O substrato semicondutor inclui regiões de passivação e regiões de contatopassivadas, que são dispostas alternadamente ao longo de uma primeira direção. A primeira direção é perpendicular a uma direção de espessura do substrato semicondutor. As estruturas de contato passivantes são dispostas na segunda superfície e correspondentemente dispostas nas regiões de contato passivadas. Cada estrutura de contato passivante inclui uma camada de passivação eletricamente condutora. A camada dielétrica pelo menos cobre a segunda superfície nas regiões de passivação. Os primeiros eletrodos são dispostos nas estruturas de contato passivantes em um lado distante do substrato semicondutor. Cada estrutura de contato passivante é provida de pelo menos um primeiro eletrodo.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Publicação antecipada

#3.2

20/05/2025

RPI 2837

Pedido de patente depositado

#2.1

08/04/2025

RPI 2831

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo '870240094893' em 05/11/2024 16:40 (WB)

19/11/2024

RPI 2811

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