Parecer de pré-exame
#6.23
26/05/2026
RPI 2890
Voltar para busca
Dado oficial do INPI
CÉLULA DE MEMÓRIA DE GANHO DE DOIS TRANSISTORES COM ÓXIDO DE ÍNDIO-GÁLIO-ZINCO, MÉTODOS E SISTEMAS RELACIONADOS
Em ExigênciaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
102021023597Tipo
Patente de Invenção
Depósito
23/11/2021
Publicação
28/06/2022
Andamento no INPI
Parecer técnico a responder- Depósito23/11/21
- Publicação28/06/22
- Exame
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
O INPI emitiu parecer técnico sobre a patenteabilidade. O depositante tem de se manifestar para o exame prosseguir.
Última movimentação publicada pelo INPI: 26/05/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
I. C. (pessoa física)
US
Inventores
S. T. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
17/132,908 · 23/12/2020
Resumo técnico
CÉLULA DE MEMÓRIA DE GANHO DE DOIS TRANSISTORES COM ÓXIDO DE ÍNDIO-GÁLIO-ZINCO, MÉTODOS E SISTEMAS RELACIONADOS. Trata-se de uma memória de célula de ganho de dois transistores (2T) exemplificativa com transistores de óxido de índio-gáliozinco (IGZO). Exemplos incluem transistores de IGZO incluídos em umacélula de memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM). Os transistores de IGZO incluídos na célula de DRAM são descritos como formados ou criados em uma pilha de processo de metal de back end (BE) de um chip de circuito integrado ou molde.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Publicação do pedido de patente
#3.1
28/06/2022
RPI 2686
Pedido de patente depositado
#2.1
15/02/2022
RPI 2667
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870210108489' em 23/11/2021 19:28 (WB)
07/12/2021
RPI 2657
Monitoramento de patentes
Acompanhe esta patente em tempo real.
Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.