TRANSISTOR DE SELEÇÃO DE COLUNA PARA MEMÓRIA DE PONTO CRUZADO TRIDIMENSIONAL

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

TRANSISTOR DE SELEÇÃO DE COLUNA PARA MEMÓRIA DE PONTO CRUZADO TRIDIMENSIONAL. Trata-se de uma estrutura de dispositivo de memória que inclui um transistor vertical com um canal entre uma fonte e um dreno, um eletrodo de porta adjacente ao canal, em que o eletrodo de porta está em uma primeira direção ortogonal a um eixo geométrico longitudinal do canal. Uma camada de dielétrico de porta está entre o eletrodo de porta e o canal. Um primeiro terminal de uma primeira interconexão é acoplado à fonte ou ao dreno, em que a primeira interconexão é colinear com o eixo geométrico longitudinal. A estrutura de dispositivo de memória inclui adicionalmente um par de células de memória, em que células individuais das células de memória incluem um elemento seletor e um elemento de memória, em que um primeiro terminal das células individuais da célula de memória é acoplado a um segundo e terceiro terminais respectivos da primeira interconexão. Um segundo terminal das células individuais da célula de memória é acoplado às interconexões individuais do par de segundas interconexões.