MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE SENSOR UTBB SOI MOSFET E DISPOSITIVO SENSOR UTBB SOI MOSFET

Classificação IPC

Resumo técnico

MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE SENSOR UTBB SOI MOSFET E DISPOSITIVO SENSOR UTBB SOI MOSFET. A presente invenção apresenta um dispositivo transistor Sensor Ultra-Thin Body and Buried oxide silicon on insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (UTBB SOI MOSFET), e o método de fabricação do mesmo em que o dispositivo é capaz de funcionar como transistor tipo N ou P e, consequentemente, como sensor de íons positivos e negativos.