Parecer de pré-exame
#6.23
28/07/2026
RPI 2899
Dados do pedido
Número
102020019664Tipo
Depósito
Publicação
O INPI emitiu parecer técnico sobre a patenteabilidade. O depositante tem de se manifestar para o exame prosseguir.
Última movimentação publicada pelo INPI: 28/07/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
I. C. (pessoa física)
US
Inventores
J. L. (pessoa física)
US
K. B. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
16/711,243 · 11/12/2019
Resumo técnico
DISPOSITIVO DE MEMÓRIA E MÉTODO PARA REPARAR UMA MEMÓRIA. A presente invenção trata de Um dispositivo de memória que tem uma matriz de memória com múltiplas linhas de memória que têm endereços lógicos mapeados para seus endereços físicos e pelo menos uma linha sobressalente sem um endereço lógico mapeado para seu endereço físico. Um controlador detecta uma falha de uma das múltiplas linhas de memória (linha de falha) e executa um modo de reparo póspacote (PPR). O controlador pode ser interno ao dispositivo de memória ou externo ao dispositivo de memória. O dispositivo de memória inclui um scratchpad interno para permitir a transferência de conteúdo de dados da linha de falha para a linh sobressalente. O controlador pode mapear o endereço lógico da linha de falha do endereço físico da linha de falha para o endereço físico da linha sobressalente, transferir o conteúdo de dados da linha de falha para o scratchpad interno e transferir o conteúdo de dados do scratchpad interno para a linha sobressalente.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#6.23
28/07/2026
RPI 2899
#3.1
15/06/2021
RPI 2632
#2.1
29/12/2020
RPI 2608
#2.10
Número de Protocolo '870200121316' em 26/09/2020 13:45 (WB)
06/10/2020
RPI 2596
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