Patente de Invenção TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM ARQUITETURA VERTICAL E USO DO MESMO EM SENSORES de CNPEM - CENTRO NACIONAL DE PESQUISA EM ENERGIA E MATERIAIS — IPC H01L 51/10. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
Patente concedida em 10/02/2026 e em vigor até 10/02/2040. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:10/02/2040
Última movimentação publicada pelo INPI: 10/02/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
CNPEM - CENTRO NACIONAL DE PESQUISA EM ENERGIA E MATERIAIS
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM ARQUITETURA VERTICAL EUSO DO MESMO EM SENSORES. A presente descrição se refere a um dispositivo tipo VOFET apresentando uma heterojunção de eletrodo de fonte (21) perfurado com eletrodo de dreno (11,12) constituído de NM auto-enrolada em forma tubular ou em forma de tubo colapsado. O dispositivo é fabricado com técnicas de fotolitografia e encontra uso no sensoriamento de diversos parâmetros, como pressão, umidade relativa do ar, incidência luminosa, componentes biológicos e componentes em gases.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 10/02/2020, observadas as condições legais
10/02/2026
RPI 2875
Deferimento
#9.1
27/01/2026
RPI 2873
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
01/07/2025
RPI 2843
Publicação do pedido de patente
#3.1
17/08/2021
RPI 2641
Pedido de patente depositado
#2.1
19/05/2020
RPI 2576
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870200019241' em 10/02/2020 11:14 (WB)
