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Dado oficial do INPI

DIVISORES DE POTÊNCIA CONTROLÁVEIS NA FAIXA DE THZ BASEADOS EM GRAFENO

Em AnálisePatente de Invenção

Dados do pedido

Patente de Invenção DIVISORES DE POTÊNCIA CONTROLÁVEIS NA FAIXA DE THZ BASEADOS EM GRAFENO — IPC H03H 3/02
Patente de Invenção DIVISORES DE POTÊNCIA CONTROLÁVEIS NA FAIXA DE THZ BASEADOS EM GRAFENO — IPC H03H 3/02. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

102019019249

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

16/09/2019

Publicação

30/03/2021

Andamento no INPI

Em recurso
  1. Depósito16/09/19
  2. Publicação30/03/21
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

O pedido está em fase de recurso: o INPI ainda vai rever a decisão.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 13/01/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

U. P. (pessoa física)

PA, BR

U. A. (pessoa física)

PA, BR

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Inventores

V. D. (pessoa física)

BR

W. C. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

DIVISORES DE POTÊNCIA CONTROLÁVEIS NA FAIXA DE THZ BASEADOS EM GRAFENOA invenção proposta, baseia-se em dois divisores de potência não recíprocos, baseados em grafeno que operam na região de THz. Os componentes desenvolvidos dividem o sinal de entrada entre duas portas de saída e, além disso, possuem propriedades de isolamento, isto é, a fonte do sinal eletromagnético conectada a porta de entrada é protegida contra possíveis reflexões indesejadas oriundas das portas de saída. As estruturas dos dispositivos consistem de um ressonador de grafeno em forma de disco e quatro guias de onda conectados a ele. Esses elementos são depositados em substrato dielétrico de sílica (SiO2) e silício (Si), sendo o ressonador de grafeno magnetizado normalmente em seu plano por um campo magnético DC externo, e o princípio físico de funcionamento dos dispositivos é baseado na ressonância dipolar do ressonador magnetizado. Resultados numéricos demonstram que a divisão do sinal eletromagnético entre as duas portas de saída está em torno de -4,4 dB e os isolamentos da fonte eletromagnética em relação as portas de saída são melhores que -20 dB nas frequências centrais de 7,48 THz e 7,4 THz, sendo possível o ajuste da faixa de frequência dos dispositivos mudando o potencial químico do grafeno através da aplicação de uma diferença de potencial entre o substrato e a camada de grafeno, proporcionando desta forma, o controle dinâmico das respostas dos divisores. As larguras de banda dos dispositivos para os níveis de transmissão de -5 dB e isolamento de -15 dB estão próximas de 4,5 % e 3,4 % com o campo magnético DC de 0,8 T.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Petição de recurso

#12.2

Recurso: Petição 870260000740, de 05/01/2026

13/01/2026

RPI 2871

Indeferimento

#9.2

04/11/2025

RPI 2861

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

08/04/2025

RPI 2831

Publicação do pedido de patente

#3.1

30/03/2021

RPI 2621

Pedido de patente depositado

#2.1

17/12/2019

RPI 2554

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo '870190092595' em 16/09/2019 17:49 (WB)

24/09/2019

RPI 2542

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