Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 29/12/2018, observadas as condições legais
11/06/2024
RPI 2788
Dados do pedido
Número
102018077535Tipo
Depósito
Publicação
Patente concedida em 11/06/2024 e em vigor até 29/12/2038. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:29/12/2038
Última movimentação publicada pelo INPI: 11/06/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS - UNICAMP
SP, BR
Inventores
G. R. (pessoa física)
BR
N. F. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
LASER SEMICONDUTOR HETEROGÊNEO III-V EM SILÍCIO A presente invenção se dá na forma de um laser de III-V em silício (Si) integrado de maneira heterogênea empregando microanéis acoplados como espelhos óticos sintonizáveis seletivos de comprimento de onda. A estrutura acoplada é composta por microanéis externos de raio de 40 µm com dois microanéis incorporadas de raios ligeiramente inferiores a 20 µm acoplados entre si, dando origem a um espelho óptico reconfigurável, seletivo e dispersivo. O material III-V é colado em cima de uma estrutura wafer de SOI (Silicon on insulator) de 400nm de espessura por adesivo ligado com BCB (benzociclobuteno). Esta nova configuração tem aplicações potenciais, tanto a sintonização quanto o controle de largura de linha dos lasers III-V em Si.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 29/12/2018, observadas as condições legais
11/06/2024
RPI 2788
#9.1
16/04/2024
RPI 2780
#4.3
28/06/2022
RPI 2686
#11.1
12/04/2022
RPI 2675
#3.1
07/07/2020
RPI 2583
#2.1
29/01/2019
RPI 2508
#2.10
Número de Protocolo '870180169213' em 29/12/2018 15:19 (WB)
08/01/2019
RPI 2505
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