Patente de Invenção PROCESSO DE DIFUSÃO DE DOPANTE TIPO P E TIPO N EM LÂMINAS DE SILÍCIO NA MESMA ETAPA TÉRMICA de ELETROSUL CENTRAIS ELETRICAS S/A — IPC H01L 21/00. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
Patente concedida em 03/09/2024 e em vigor até 27/04/2038. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:27/04/2038
Última movimentação publicada pelo INPI: 03/09/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
ELETROSUL CENTRAIS ELETRICAS S/A
SC, BR
UNIÃO BRASILEIRA DE EDUCAÇÃO E ASSISTÊNCIA, MANTENEDORA DA PUCRS
PROCESSO DE DIFUSÃO DE DOPANTE TIPO P E TIPO N EMLÂMINAS DE SILÍCIO NA MESMA ETAPA TÉRMICA. A presente invenção apresenta um processo de difusão de dopantes para produção de células solares com a difusão de dopante p+ (boro, alumínio, gálio, etc.) e difusão de fósforo em lâminas de silício cristalino e recozimento na mesma etapa térmica, para diminuir as etapas e tempo de fabricação de células solares e, consequentemente, reduzir o custo de produção. A presente invenção se situa nos campos de dispositivos de conversão de energia solar, mais especificamente refere-se a células solares.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/04/2018, observadas as condições legais
03/09/2024
RPI 2800
Deferimento
#9.1
11/06/2024
RPI 2788
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
15/02/2024
RPI 2771
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
17/10/2023
RPI 2754
Publicação do pedido de patente
#3.1
12/11/2019
RPI 2549
Pedido de patente depositado
#2.1
11/09/2018
RPI 2488
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870180034456' em 27/04/2018 11:50 (WB)
