Patente de Invenção GAIOLA DE FARADAY MODIFICADA E PROCESSO DE DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS EM AMBIENTE DE PLASMA de INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO ESPIRITO SANTO — IPC B05B 5/00. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
Patente concedida em 14/03/2023 e em vigor até 09/11/2036. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:09/11/2036
Última movimentação publicada pelo INPI: 14/03/2023. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO ESPIRITO SANTO
O presente dispositivo trata de um assessório para uso interno no reator de plasma como uma gaiola de faraday modificada e processo de deposição de filmes finos em ambientes plasmódicos, especialmente desenvolvida para a deposição de filmesfinos de diversos materiais metálicos ou não metálicos, objetivando atender estudo de desenvolvimento tecnológico de novas ligas com propriedades mecânicas, elétricas, físicas e químicas para diversas aplicações e outras pesquisas em tecnologias de superfícies. Dessa forma, ela é desenvolvida para obter uma grande variedade de deposições de filmes finos ou nanos filmes nas superfícies de diversos materiais, via reatores de plasma a vácuo. Diante disso, com a deposição de filmes finos nas superfícies dos objetos, poderá ocorrer elevação da resistência ao desgaste, a corrosão, propriedades elétricas e ópticas e ao embelezamento no caso de objetos de adorno, entre outras características.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 09/11/2016, observadas as condições legais
14/03/2023
RPI 2723
Deferimento
#9.1
10/01/2023
RPI 2714
Exigência preliminar (variante)
#6.22
06/09/2022
RPI 2696
Publicação do pedido de patente
#3.1
29/05/2018
RPI 2473
Pedido de patente depositado
#2.1
20/12/2016
RPI 2398
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo 870160066074 em 09/11/2016 02:00(WB).
