Patente concedida em 02/03/2021 e em vigor até 04/11/2036. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:04/11/2036
Última movimentação publicada pelo INPI: 02/03/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
: "MÉTODO DE FABRICAR DISPOSITIVO SEMICONDUTOR"Um método de fabricar um dispositivo semicondutor (50) que inclui um primeiro membro (10) e um segundo membro (20) unido ao primeiro membro, o método incluindo: a) produzir (Cu,Ni)6Sn5 sobre um filme de Ni formado sobre o primeiro membro (12) fundindo a primeira solda de Sn-Cu (14) contendo 0,9% em p ou mais de Cu sobre o filme de Ni do primeiro membro; b) produzir (Cu,Ni)6Sn5 sobre um filme de Ni formado sobre o segundo membro (22) fundindo uma segunda solda de Sn-Cu (24) contendo 0,9% em p ou mais de Cu sobre o filme de Ni do segundo membro; e c) unir o primeiro membro e o segundo membro um ao outro fundindo a primeira solda de Sn-Cu que foi submetida à etapa a) e a segunda solda de Sn-Cu que foi submetida à etapa b) de modo que a primeira solda de Sn-Cu e a segunda solda de Sn-Cu tornam-se integradas.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 04/11/2016, observadas as condições legais
02/03/2021
RPI 2617
Deferimento
#9.1
12/01/2021
RPI 2610
Exigência preliminar
#6.21
02/06/2020
RPI 2578
Publicação do pedido de patente
#3.1
18/07/2017
RPI 2428
Pedido de patente depositado
#2.1
13/12/2016
RPI 2397
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo 870160064826 em 04/11/2016 09:50(WB).
