FILMES FERROMAGNÉTICOS BIFÁSICOS COMO ELEMENTOS SENSORES PARA DISPOSITIVOS BASEADOS NO EFEITO MAGNETOIMPEDÂNCIA

Classificação IPC

Resumo técnico

A presente patente de invenção objetiva empregar um sistema nanoestruturado do tipo filme ferromagnético bifásico, com fases ferromagnéticas dura e macia intermediadas por uma camada não magnética atuando em conjunto, que apresenta efeito magnetoimpedância assimétrico (AMI) e região linear das curvas de magnetoimpedância em torno do campo magnético zero, como elemento sensor em dispositivos tecnológicos, baseados no efeito magnetoimpedância (MI), que necessitam de resposta linear em baixos valores de campo magnético. O sistema nanoestruturado proposto consiste em filmes e multicamadas ferromagnéticos bifásicos, ou seja, com estrutura na forma [Material ferromagnético 1/Metal não magnético/Material ferromagnético 2]. Para obtenção do comportamento magnético bifásico e AMI, as camadas ferromagnéticas devem ter propriedades magnéticas distintas, podendo ter diferentes composições ou a mesma composição, desde que apresentem anisotropias magnéticas diferentes. Em filmes e multicamadas ferromagnéticos bifásicos, a região linear das curvas de MI pode ser ajustada em torno do campo magnético zero através da variação da espessura do material espaçador e da frequência da corrente de sonda. Deste modo, consideráveis valores de variação na magnitude da impedância em campos baixos, associados à sensibilidade de MI, podem ser obtidos, o que coloca os filmes e multicamadas ferromagnéticos com comportamento magnético bifásico como candidatos promissores a elementos sensores para dispositivos tecnológicos baseados no efeito MI.