Patente de Invenção APERFEIÇOAMENTO EM ESTRUTURA DE TRANSISTOR MOSFET — IPC H01L 27/02. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
Patente concedida em 26/10/2021 e em vigor até 28/10/2035. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:28/10/2035
Última movimentação publicada pelo INPI: 26/10/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
APERFEIÇOAMENTO EM ESTRUTURA DE TRANSISTOR MOSFET compreendido por um transistor mosfet formado por uma porta de metal e óxido de silício, caracterizado pelo mosfet ser constituído por corpos duplos simétricos independentes dotados de três terminais portas e duas Fonte/Dreno, estas conectadas cada uma em seu respectivo corpo, sendo que as duas Fonte/Dreno conectadas permanentemente ao terminal do corpo correspondente.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 28/10/2015, observadas as condições legais
26/10/2021
RPI 2651
Deferimento
#9.1
17/08/2021
RPI 2641
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
30/03/2021
RPI 2621
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
30/10/2018
RPI 2495
Publicação do pedido de patente
#3.1
11/07/2017
RPI 2427
15.7
Ref. a Petição 800150288842 de 04/11/2015 de acordo com Art. 219 Inciso II da LPI.
04/07/2017
RPI 2426
Pedido de patente depositado
#2.1
13/06/2017
RPI 2423
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '018150010212' em 28/10/2015 15:00 (SP)
