Patente de Invenção MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE TRANSISTOR de UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO - USP — IPC H01L 21/02. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
Patente concedida em 23/05/2023 e em vigor até 28/08/2035. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:28/08/2035
Última movimentação publicada pelo INPI: 23/05/2023. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
ResumoTransistor com formação de fonte e dreno induzida por efeito de campo elétrico e seu método de fabricaçãoA presente invenção refere-se a transistor SOI MOSFET (Silicon On Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) e a seu método de fabricação a partir de uma lâmina SOI.O método de fabricação do transistor compreende as seguintes etapas:a. Ajuste da espessura da lâmina;b. Seleção da região ativa da lâmina;c. Corrosão completa da camada de óxido de silício superior;d. Formação do óxido de porta;e. Deposição do metal de porta;f. Definição do eletrodo de porta;g. Obtenção do eletrodo metálico nas regiões de fonte e dreno;h. Deposição de metal na superfície inferior do substrato;i. Sinterização do dispositivo;O transistor é composto por: eletrodo de porta (5), fonte (6), dreno (7), isolante de porta (4) e isolante enterrado (2), eletrodo de substrato (8), camada de silício (3), semicondutor (1). Como no método de fabricação não há uma etapa para inserção de impurezas que determinam o tipo de portador de carga majoritário (elétrons ou lacunas) que formaria a fonte/dreno, existe a possibilidade de criar uma camada contendo um ou outro tipo de portador dependendo da tensão aplicada no substrato.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 28/08/2015, observadas as condições legais
23/05/2023
RPI 2733
Deferimento
#9.1
11/04/2023
RPI 2727
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
08/11/2022
RPI 2705
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
30/10/2018
RPI 2495
Publicação do pedido de patente
#3.1
07/03/2017
RPI 2409
Pedido de patente depositado
#2.1
01/03/2016
RPI 2356
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo 860150192693 em 28/08/2015 07:00(WB).
