Patente de Invenção SISTEMAS E MÉTODO PARA FABRICAR UMA CÉLULA DE DISPOSITIVO SEMICONDUTOR de GENERAL ELECTRIC COMPANY — IPC H01L 29/06. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
SISTEMAS E MÉTODO PARA FABRICAR UMA CÉLULA DE DISPOSITIVO SEMICONDUTOR Trata-se de um método para fabricar uma célula de dispositivo semicondutor em uma superfície de uma camada semicondutora de carboneto de silício (SiC) que inclui formar um contato de fonte e corpo segmentado (SSBC) da célula de dispositivo semicondutor sobre a superfície da camada semicondutora de SiC. O SSBC inclui uma porção de contato de corpo disposta sobre a superfície da camada semicondutora e em proximidade a uma região de contato de corpo da célula de dispositivo semicondutor, sendo que a porção de contato de corpo não é disposta sobre o centro da célula de dispositivo semicondutor. O SSBC também inclui uma porção de contato de fonte disposta sobre a superfície da camada semicondutora e em proximidade a uma região de contato de fonte da célula de dispositivo semicondutor, sendo que a pelo menos uma porção de contato de fonte circunda somente de maneira parcial a porção de contato de corpo do SSBC.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
24/11/2020
RPI 2603
Exigência preliminar
#6.21
14/07/2020
RPI 2584
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
30/10/2018
RPI 2495
Publicação do pedido de patente
#3.1
06/03/2018
RPI 2461
Pedido de patente depositado
#2.1
30/01/2018
RPI 2456
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '018150007191' em 23/06/2015 13:48 (SP)
