Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
24/11/2020
RPI 2603
Dados do pedido
Número
102015015124Tipo
Depósito
Publicação
Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 24/11/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
GENERAL ELECTRIC COMPANY
US
Inventores
A. B. (pessoa física)
US
P. L. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
14/313,785 · 24/06/2014
Resumo técnico
Trata-se de um método para fabricar uma célula de dispositivo semicondutor em uma superfície de uma camada semicondutora de carboneto de silício (SiC) que inclui formar uma fonte segmentada e um contato corporal (SSBC) da célula de dispositivo semicondutor na superfície da camada semicondutora de SiC. A SSBC inclui uma parte de contato corporal disposta na superfície da camada semicondutora e próxima a uma região de contato corporal da célula de dispositivo semicondutor, em que a parte de contato corporal está substancialmente disposta no centro da célula de dispositivo semicondutor. A SSBC também inclui pelo menos uma parte de fonte de contato disposta na superfície da camada semicondutora e próxima a uma região de contato de fonte da célula de dispositivo semicondutor, em que a pelo menos uma parte de fonte de contato circunda apenas parcialmente a parte de contato corporal da SSBC.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#11.2
24/11/2020
RPI 2603
#6.21
14/07/2020
RPI 2584
#6.6.1
30/10/2018
RPI 2495
#3.1
16/05/2017
RPI 2419
#2.1
11/04/2017
RPI 2414
#2.10
Número de Protocolo '018150007190' em 23/06/2015 13:47 (SP)
31/01/2017
RPI 2404
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