PROCESSO PARA PRODUÇÃO DE DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS III-V INTEGRADOS EM SILÍCIO

Classificação IPC

Resumo técnico

PROCESSO PARA PRODUÇÃO DE DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS III-V INTEGRADOS EM SILÍCIO. A presente invenção refere-se a um processo que permite o crescimento de dispositivos integrados semicondutores de alta qualidade, boa eficiência e baixo custo sobre heteroestruturas de materiais III-V em substratos virtuais, preparadas através de técnicas de deposição epitaxial (2), como MBE ou deposição química por fase de vapor. O uso de nanomembranas (8) como substratos virtuais elimina problemas recorrentes encontrados na produção usual destes dispositivos, como incompatibilidade entre parâmetros de rede e coeficientes de expansão térmica, no caso do crescimento direto, e desintegração do dispositivo durante o etching, enfrentada na transferência do dispositivo pronto por epitaxial lift-off. O processo consiste no depósito de uma camada de sacrifício (4) e um filme fino (6) sobre um substrato (1) apropriado. A camada de sacrifício (6) é removida por wet etching e transfere-se o filme fino livre denominado nanomembrana (8) a um novo substrato (7), preferencialmente de Si. Após a integração eletrônica entre as camadas, o conjunto (10) formado pelo novo substrato (7) e a nanomembrana é compatível para fabricação de dispositivos optoeletrônicos (3) convencionais como lasers, transistores de alta mobilidade eletrônica e LEDs, por processos bem estabelecidos de processamento de semicondutores.