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Dado oficial do INPI

SISTEMA DE TENSÃO DE REFERÊNCIA COMPENSADA EM TEMPERATURA E DE BAIXISSIMO CONSUMO DE POTÊNCIA BASEADA EM UMA ESTRUTURA SCM COM TRANSISTORES DE DIREFENTE TENSÃO DE LIMIAR

ConcedidaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

102014003547

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

14/02/2014

Publicação

01/12/2015

Andamento no INPI

  1. Depósito14/02/14
  2. Publicação01/12/15
  3. Exame
  4. Deferimento07/12/21
  5. Concessão01/02/22
  6. Em vigor14/02/34

Patente concedida em 01/02/2022 e em vigor até 14/02/2034. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:14/02/2034

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Última movimentação publicada pelo INPI: 01/02/2022. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

CENTRO NACIONAL DE TECNOLOGIA ELETRÔNICA AVANÇADA S.A

RS, BR

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Inventores

A. O. (pessoa física)

BR

F. P. (pessoa física)

BR

J. B. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

RESUMOSISTEMA DE TENSÃO DE REFERÊNCIA COMPENSADA EM TEMPERATURA E DE BAIXISSIMO CONSUMO DE POTÊNCIA BASEADA EM UMA ESTRUTURA SCM COM TRANSISTORES DE DIFERENTE TENSÃO DE LIMIAR A inovação proposta visa sanar os inconvenientes encontrados no estado da técnica propondo uma estrutura SCM (Self Cascode MOSFET) simples para gerar uma tensão de referência de sub-1V no nó intermédio do SCM. Distingue-se substancialmente das soluções já conhecidas no mercado, uma vez que requer apenas 2 transistores para criar uma tensão de referência com compensação de temperatura. Quando dimensionados corretamente, os transistores em nosso SCM irão operar em inversão fraca, moderada, ou forte, e na região de saturação ou saturação e tríodo, proporcionando boa correspondência e baixa variação parte-a-parte. A seguinte proposta traz a inovação de operar com tensões de alimentação sobre uma larga faixa de variação, desde 3.6V até abaixo de 1V (operação sub 1V), com fontes de corrente de polarização na faixa de dezenas de nA (nano Amperes), e variação em temperatura menor do que ±1% de -40°C a 85°C. Nossa inovação é uma implementação muito simples, de muito baixo custo (em termos de área e complexidade), compatível com processos de fabricação CMOS padrão, e robusta (face transferências de uma fábrica a outra, de uma tecnologia para outra, e também com poucas variações de uma peça para outra). 1/1

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 14/02/2014, observadas as condições legais

01/02/2022

RPI 2665

Deferimento

#9.1

07/12/2021

RPI 2657

Exigência preliminar

#6.21

03/08/2021

RPI 2639

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

13/11/2018

RPI 2497

Publicação do pedido de patente

#3.1

01/12/2015

RPI 2343

Pedido de patente depositado

#2.1

08/07/2014

RPI 2270

Exigência - art. 21 da LPI

#2.5

29/04/2014

RPI 2260

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo 860140017642 em 14/02/2014 04:03(WB).

25/02/2014

RPI 2251

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