Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 05/08/2013, observadas as condições legais
01/12/2020
RPI 2604
Dados do pedido
Número
102013019891Tipo
Depósito
Publicação
Patente concedida em 01/12/2020 e em vigor até 05/08/2033. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:05/08/2033
Última movimentação publicada pelo INPI: 01/12/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
GENERAL ELECTRIC COMPANY
US
Inventores
D. L. (pessoa física)
US
J. M. (pessoa física)
US
S. A. (pessoa física)
US
T. J. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
13/567,791 · 06/08/2012
Resumo técnico
MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, DISPOSITIVOS DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE ÓXIDO DE METAL (MOSFET) E SEMICONDUTOR. Trata-se de um dispositivo semicondutor e métodos para fabricar esse dispositivo. Em determinadas realizações, o dispositivo semicondutor inclui um eletrodo fonte formado com o uso de um metal que limita um deslocamento, tal como devido à instabilidade em temperatura e polarização, em uma tensão limite do dispositivo semicondutor durante a operação. Em determinadas realizações o dispositivo semicondutor pode ser baseado em carboneto de silício
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 05/08/2013, observadas as condições legais
01/12/2020
RPI 2604
Retifique-se, por incorreções no nome do inventor
24/09/2020
RPI 2594
#9.1
18/08/2020
RPI 2589
#6.21
03/03/2020
RPI 2565
#6.6.1
04/12/2018
RPI 2500
#3.8
Referente à RPI 2340 de 10/11/2015, quanto ao item (71).
08/12/2015
RPI 2344
#3.1
10/11/2015
RPI 2340
#2.1
18/03/2014
RPI 2254
#2.10
Número de Protocolo 18130026560 em 05/08/2013 03:57(SP).
25/02/2014
RPI 2251
Do mesmo titular
Monitoramento de patentes
Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.