Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 11/03/2013, observadas as condições legais
14/06/2022
RPI 2684
Dados do pedido
Número
102013005759Tipo
Depósito
Publicação
Patente concedida em 14/06/2022 e em vigor até 11/03/2033. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:11/03/2033
Última movimentação publicada pelo INPI: 14/06/2022. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
CIA. FERROLIGAS MINAS GERAIS - MINASLIGAS
MG, BR
INSTITUTO DE PESQUISAS TECNOLÓGICAS DO EST S. PAULO S/A IPT
SP, BR
Inventores
E. A. (pessoa física)
BR
J. N. (pessoa física)
BR
M. L. (pessoa física)
BR
T. R. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
PROCESSO DE PURIFICAÇÃO DE SILÍCIO POR MEIO DE SOLIDIFICAÇÃO CONTROLADA SOB CENTRIFUGAÇÃO refere-se a um processo de refino de silício no qual as impurezas são segregadas para uma região do material por meio de um processo de solidificação controlada sob centrifugação, ou seja, é promovida a centrifugação dosilício desde a fase em que ele se encontra totalmente líquido até a fase em que ele foi totalmente solodificado, utilizando intervalos de temperatura que ampliam a quantidade de metais precipitados e os localizam em regiões com facilidade de extração. Com a centrifugação associada ao tempo de solodificação substancialmente reduzido, o aporte de energia para controle de a solidificação ser eliminado e, ainda, a solidificação direcional sob centrifugação ser realizada com velocidades de avanço da interface de sólido-líquido entre 50 e 100 um/s, o processo permite promover o refino em tempo mais reduzido, quando comparado aos processos tradicionais de refino que empregam solodificação controlada do silício ou empregam somente a centrifugação, e ainda, uma fácil separação da região purificada da região rica em impurezas. O processo consiste na macrossegregação de solutos durante a solidificação direcional por centrifugação, caracterizao por a solidificação direcional ser realizada com velocidades de avanço da interface de sólido-líquido entre 50 e 100 um/s, o aporte de energia para controle de a solidificação ser elimado e o tempo de solidificação ser substancialmente reduzido, sendo promovida a centrifugação do silício desde a fase em que ele se encontra totalmente líquido até a fase em que ele foi totalmente solodificado, utilizando intervalos de temperatura que ampliam a quantidade de metais precipitados e os localizem em regiões com facilidade de entração. O material obtido no processo atinge níveis de impurezas metálicas suficientes para ser aplicado na produção de lingotes multicristalinos de silício a serem empregados na produção de células solares fotovoltaicas à base de silício
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 11/03/2013, observadas as condições legais
14/06/2022
RPI 2684
#9.1
12/04/2022
RPI 2675
15/03/2022
RPI 2671
#8.6
Referente à 9ª anuidade.
11/01/2022
RPI 2662
#6.1
08/09/2021
RPI 2644
#6.1
20/04/2021
RPI 2624
#7.1
08/12/2020
RPI 2605
#6.22
23/06/2020
RPI 2581
#6.6.1
27/03/2018
RPI 2464
#3.1
17/03/2015
RPI 2306
#2.1
31/12/2013
RPI 2243
#2.10
Número de Protocolo 18130007702 em 11/03/2013 03:15(SP).
07/05/2013
RPI 2209
Do mesmo titular
Da mesma categoria
Monitoramento de patentes
Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.