MÉTODO PARA FORMAR UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL-ÓXIDO-SEMICONDUTOR (MOSFET) VERTICAL DE CARBONETO DE SILÍCIO (SiC)

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

MÉTODO E DISPOSITIVO SEMICONDUTOR. Em uma modalidade, a invenção compreende um MOSFET que compreende células MOSFET individuais. Cada célula compreende um poço em formato de U (228) (tipo P) e duas fontes paralelas (260) (tipo N) formadas dentro do poço. Uma pluralidade de linhas de fonte (262) (N dopadas) conecta as fontes (260) em múltiplos locais. AS regiões entre duas linhas (262) compreendem um corpo (252) (tipo P). Estas características são formadas em uma camada epitaxial tipo N (220), que é formada em um substrato tipo N (216). Um contato (290) se estende ao longo de, e entra em contato com uma pluralidade de linhas de fonte (262) e corpos (252). O óxido de porta e um contato de porta sobrepõem uma perna de um primeiro poço e uma perna de um segundo poço adjacente, que inverte a condutividade em resposta a uma tensão de porta. Um MOSFET compreende uma pluralidade destas células que obtém uma resistência de canal baixa desejada. As regiões de célula são formadas usando técnicas de auto-alinhamento em diversos estados do processo de fabricação.