(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO, E, DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO

ArquivadaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

102012002818

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

07/02/2012

Publicação

23/07/2013

Andamento no INPI

  1. Depósito07/02/12
  2. Publicação23/07/13
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

Falar com um especialista

Última movimentação publicada pelo INPI: 08/09/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

C. K. (pessoa física)

JP

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

H. I. (pessoa física)

JP

T. S. (pessoa física)

JP

T. K. (pessoa física)

JP

T. E. (pessoa física)

JP

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

JP

2011-026346 · 09/02/2011

JP

2011-223302 · 07/10/2011

Resumo técnico

MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO, E, DISPOSITIVO DE CAPTURA DE IMAGEM DE ESTADO SÓLIDO. É descrito um método para fabricar um dispositivo de captura de imagem de estado sólido que inclui um substrato incluindo uma unidade de conversão fotoelétrica e uma guia de onda arranjada no substrato, e guia de onda correspondendo à unidade de conversão fotoelétrica e incluindo um núcleo e um revestimento, que inclui uma primeira etapa e uma segunda etapa, nas quais, na primeira etapa e na segunda etapa, um elemento a ser formado no núcleo é formado em uma abertura no revestimento por deposição química de vapor intensificada por plasma de alta densidade, na qual, depois da primeira etapa, na segunda etapa, o elemento a ser formado no núcleo é formado pela deposição quiímica de vapor intensificada por plasma de alta densidade em condições nas quais a razão da potência de radiofrequência no lado da face traseira do substrato para a potência de radiofrenquencia no lado da face do substrato é maior que na primeira etapa.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI

#11.2

08/09/2020

RPI 2592

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

22/04/2020

RPI 2572

6.20

09/07/2019

RPI 2531

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

03/04/2018

RPI 2465

Publicação do pedido de patente

#3.1

23/07/2013

RPI 2220

Pedido de patente depositado

#2.1

02/01/2013

RPI 2191

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo 20120010603 em 07/02/2012 04:34(RJ).

26/06/2012

RPI 2164

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.