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Dati ufficiali dell'INPI

LEITURA DE RAJADA QUE INCORPORA SAÍDA COM BASE EM REDUNDÂNCIA

ArquivadaBrevetto per invenzionePCT · US2001022646

Dati della domanda

Numero

PI0112740

Tipo

Brevetto per invenzione

Deposito

17/07/2001

Pubblicazione

01/07/2003

PCT

US2001022646

Stato presso l'INPI

  1. Deposito17/07/01
  2. Pubblicazione01/07/03
  3. Archiviato
  4. Accoglimento
  5. Concessione
  6. In vigore

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 17/07/2001, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Ultimo atto pubblicato dall'INPI: 18/04/2006. Aggiorniamo a ogni nuova RPI, pubblicata settimanalmente.

Depositanti e inventori

Depositanti

Advanced Micro Devices, INC.

US

Fujitsu Limited

JP

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Inventori

A. A. (pessoa física)

US

T. A. (pessoa física)

US

Dati tecnici

Classificazione IPC

Rivendicazioni di priorità

US

09/724.669 · 28/11/2000

US

60/220.690 · 25/07/2000

Abstract

"LEITURA DE RAJADA QUE INCORPORA SAÍDA COM BASE EM REDUNDÂNCIA". Dispositivo para efetuar a leitura redundante em uma memória flash. O dispositivo inclui conjuntos de células de memória regulares (410) e conjuntos de células de memória redundantes (412). Algumas das células de memória regular podem ter endereços defeituosos. Um amplificador sensível regular (420) lerá as células de memória regular em seus endereços acessados enquanto um amplificador sensível redundante (422) lerá as células de memória redundantes. Um primeiro conjunto (432) de CAMs armazenará os endereços defeituosos das células de memória defeituosas enquanto um segundo conjunto (432) de CAMs armazenará os designadores de entrada/saída das células de memória defeituosas. A decodificação do circuito (460) decodificará os designadores de entrada/saída tanto das células de memória defeituosas como as células de memória não defeituosas. Um estágio multiplexador multi-bit (490) emitirá quer o conteúdo da célula de memória regular (410) ou, se o endereço for defeituoso, o conteúdo da célula de memória redundante (412). O conteúdo será aplicado à saída do multiplexador correspondendo ao designador de entrada/saída da célula de memória.

Storico delle procedure

Pubblicazioni nella Gazzetta Brasiliana della Proprietà Industriale (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

18/04/2006

RPI 1841

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

04/10/2005

RPI 1813

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

01/07/2003

RPI 1695

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