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Brevetto per invenzione102013013566

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR QUE USA VIAS ATRAVÉS DE SILÍCIO CEGAS CONDUTORAS TERMICAMENTE PARA A REDUÇÃO DA EXPOSIÇÃO AO CALOR DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES SENSÍVEIS TERMICAMENTE

FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC+1

ConcedidaIPC H01L 23/13

Stato presso l'INPI

  1. In vigore31/05/33

Patente concedida em 20/04/2021 e em vigor até 31/05/2033. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Protezione valida fino al:31/05/2033

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Ultimo atto pubblicato dall'INPI: 20/04/2021. Aggiorniamo a ogni nuova RPI, pubblicata settimanalmente.

Dati tecnici

Abstract

MÉTODOS E ESTRUTURAS PARA REDUZIR EXPOSIÇÃO DE CALOR DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES SENSÍVEIS TERMICAMENTE. Um dispositivo semicondutor compreende uma matriz de circuito integrado (IC) tendo um lado de topo e um lado de trás. O substrato de circuito inclui um circuito de fonte de calor, um circuito sensível ao calor, um substrato de embalagem juntamente com o lado de topo do substrato de circuito, e uma pluralidade de vias através de silício (TSVs) condutoras termicamente formadas a partir do lado de trás do substrato circuito para perto, mas não através do lado de topo do substrato de circuito.

Rivendicazioni di priorità

US

13/485886 · 31/05/2012

Storico delle procedure

Pubblicazioni nella Gazzetta Brasiliana della Proprietà Industriale (RPI).

20/04/2021

RPI 2624

Concessão da patente

16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 31/05/2013, observadas as condições legais

30/03/2021

RPI 2621

Deferimento

9.1

30/06/2020

RPI 2582

Conhecimento de parecer técnico

7.1

14/01/2020

RPI 2558

Exigência preliminar

6.21

04/12/2018

RPI 2500

Notificação de acesso ao patrimônio genético

6.6.1

10/10/2017

RPI 2440

Transferência deferida

25.1

20/10/2015

RPI 2337

Publicação do pedido de patente

3.1

26/08/2014

RPI 2277

Pedido de patente depositado

2.1

05/08/2014

RPI 2274

Requerimento de pedido de patente

2.10

Número de Protocolo 20130047611 em 31/05/2013 04:29(RJ).