Arquivamento por falta de pagamento
#8.6
Referente a 3ª, 4ª, 5ª, 6ª, 7ª e 8ª anuidade
05/16/2000
RPI 1532
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Official data from INPI
PROCESSO DE FORMAÇÃO DE UM DISPOSITIVO DE COMUTAÇÃO LIMITED E DISPOSITIVO DE COMUTAÇÃO
Arquivada/ExtintaInvention Patent
Application data
Number
PI9201622Type
Invention Patent
Filing
04/30/1992
Publication
12/15/1992
Progress at the INPI
- Filing04/30/92
- Publication12/15/92
- Abandoned05/18/93
- Allowance
- Grant
- In force
The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 05/16/2000. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
D. C. (pessoa física)
US
Inventors
K. M. (pessoa física)
US
U. P. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
694.721 · 05/02/1991
Abstract
Esta invenção refere-se a um processo de formação de um dispositivo de comutação limite que exibe resistência diferencial negativa e aos dispositivos formado pelo dito processo. O processo compreende deposição de um filme de dióxido de silício derivado de resina hidrogeno silsesquioxano entre pelo menos dois elétrodos e então aplicação de voltagem acima de uma voltagem limite através dos elétrodos.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
8.1
Referente a 3ª,4ª, 5ª e 6ª anuidade.
12/29/1998
RPI 1460
Solicitação de exame técnico
#4.1
05/18/1993
RPI 1172
Publicação do pedido de patente
#3.1
12/15/1992
RPI 1150
Pedido de patente depositado
#2.1
06/02/1992
RPI 1122
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