UM MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE COMPONENTES SEMICONDUTORES BEM COMO UMA CÉLULA SOLAR FEITA DESTE

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Áreas dopadas em componentes semicondutores são feitas mediante a aplicação a uma parte da superfície de um substrato semicondutor de um óxido que forma uma camada máscara que contém dopantes, sendo o dito substrato semicondutor com a camada máscara aquecido para uma temperatura suficiente para a difusão de uma parte do dopante da camada máscara do substrato semicondutor, onde também a indesejável autodopagem das superfícies não protegidas do substrato semicondutor ocorre durante o processo de dopagem, por qual razão as áreas autodopadas do substrato semicondutor são removidas por ataque fora por ataque alcalino ou ataque por plasma, sendo que a dita camada máscara constitui uma barreira protetora para as áreas dopadas abaixo da camada máscara. Na produção de uma célula solar com duas áreas dopadas de tipos de condutores P e N, respectivamente a distância entre as duas áreas dopadas pode ser utilizada para ajuste do gradiente da corrente escura com um diodo polarizado na direção de bloqueio.